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【上海贝岭】功率器件 & 电源IC在PD快充中的应用

01

 
手机充电技术的发展历史及现状
 

USB-PD,英文全称为USB Power Delivery,是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。经过近7年时间的发展与更新,如今的USB PD快充协议已经由最初的1.0版本、2.0版本、3.0版本发展到PPS(Programmable Power Supply),现在又推出了最新的3.1版本。目前为止,我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。

接口方面,当下USB-C即type C接口以其正反插即可、可通大电流的同时还能实现数据传输的优势稳居市场占有量最大。

从2010年到2021年,快充技术整体上基本经历了4次大的变更,功率从7.5W到最大可实现240W的功率等级。

 
 

02

 
快充技术方案概述
 

 

 

传统的手机充电器采用的是PSR反激电路,这种充电器的电路是最早研发被采用的,目前市场上15W以下的充电器大多也采用这种方案,相对于SSR来讲,PSR反激电路主要有以下优缺点:

 

优点:PSR 省掉了光耦、431 及它们周边元件,所以体积可以做得更小,价格更便宜;

 

缺点:PSR采用原边辅助绕组作为采样电压,由于变压器工艺、输出二极管的一致性、输出寄生电阻等因素,导致 PSR 输出精度较低,一般只用在小功率电源上(15W 以内)。

PSR反激电路

相对来讲,SSR电路较PSR电路要复杂一点,主要优缺点如下:

 

优点:由于采用的是副边反馈,所以反馈的速度比较快,精度更准确,使得电路的稳定性更高,动态响应速度更快,输出电压电流精度高,可应用的领域更多;

 

缺点:由于反馈控制要更快更精准,采用了光耦和431,使得电路板上元器件的成本增加。

SSR反激电路

现在的手机充电器电路方案:SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。下图为目前市场上流通的带有协议的充电器采用的方案,也是目前市场上采用量最大的方案,输出功率从18W-120W不等;目前最新的充电器功率240W,后续也将大批量投入市场。

 

优点:输出功率随着手机和充电器的协议可以进行调节,而且输出稳定,采用MOS管用来同步整流大大减小了整流时的损耗,输出VBUS MOS管可及时对输出进行保护和调节,安全性高;

 

缺点:元器件多,成本高。

SSR反激电路+协议组合电路

现状较少但是未来有一定发展趋势的手机充电器电路方案:PFC+SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。图中这种方案目前市场上流通量较少,但必定是未来发展趋势,这种手机充电器的功率一般是≥100W时才会采用这样的方案,后续随着充电器功能功率不断加大,这种方案采用的会更多。

 

优点:增加了PFC电路,使功率因数增大,在同等方案下充电器功率可以做得更大。

 

缺点:元器件多,成本高。

PFC+SSR反激电路+协议组合电路

 

 

 

 
 

03

 
贝岭功率器件在PD应用的产品推荐
 
3.1手机充电器对功率MOSFET技术需求1

 

手机充电器中,PFC和初级开关管有如下技术需求:

高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿;

低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;

低开关损耗:使开关导致的损耗降低,发热减少;

低热阻:正常工作时发热量小;

低di/dt和dv/dt:开关状态下产生震荡以及杂波小,产生较小的电磁干扰。

贝岭型号推荐:

3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2

 

手机充电器中整流开关管VBUS开关管技术需求如下:

高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿;

低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;

低热阻:正常工作时发热量小;

高雪崩耐量:发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰,高雪崩耐量可使MOS管不被击穿;

短路电流能力强:短路瞬间会产生较大电流,MOS管需要有承受较大电流的能力。

贝岭型号推荐:

 
 

04

 
贝岭电源IC器件在PD应用的产品推荐
 

 

 

 

ME8138: 高性能电流模式 GaN驱动控制器

 
 
 

应用场合:

应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源

 

ME8138亮点

 

➢内置650V 800mΩ氮化镓

➢超宽VDD供电范围9.6V-80V

➢待机功耗<75mW

➢软启动 自适应软驱动

➢频率抖动和峰值电流抖动

➢轻载打嗝模式及噪音优化

➢前沿消隐

➢内置斜坡补偿

➢OCP、OLP、UVLO、VDD-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等

➢SOP8封装

 

 

 

 

 

ME8131: 高性能电流模式PWM驱动控制器

 
 
 

应用场合:

应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源

 

ME8131亮点

 

➢低启动电流,待机功耗<75mW

➢超宽VDD供电范围 9.6V-80V

➢恒功率控制

➢软启动、自适应软驱动功能

➢频率抖动和峰值电流抖动

➢轻载打嗝模式及噪音优化

➢前沿消隐

➢内置斜坡补偿

➢OCP、UVLO、VCC-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等

 

 

 

 

 

ME8128:  高性能离线QR GaN反激变换器

 
 
 

应用场合:

应用于PD快充电源、适配器等反激式开关电源

 

ME8128亮点

 

➢合封 480mΩ/650V 氮化镓

➢准谐振QR模式

➢最高支持170KHz工作频率

➢软启动、低启动电流和静态工作电流

➢频率抖动和峰值电流抖动

➢轻载打嗝模式及噪音优化

➢OCP、OLP、UVLO、VCC OVP、OTP、LEB、CS-SCB、输入过欠压自恢复保护Brown out等

➢ESOP8、

DFN8L (5*6*0.85-1.27)封装

 

 

 

 

 

ME841X:同步整流控制器 & 转换器

 
 
 

应用场合:

应用于PD快充电源、充电器、适配器等反激式开关电源

 

ME841X亮点

 

➢外推MOS和 内置80V/ 100 MOS

➢支持反激应用 低待机功耗

➢兼容CCM\DCM\ QR\CrCM工作模式

➢驱动电压动态调整控制

➢集成150V高压检测和高压供电

➢<30ns关断延时

➢欠压保护等功能

➢支持High Side和Low Side配置

➢SOT23-6 SOP8封装

 

 

 
 
 
 
 
 
 

 

本文来源:上海贝岭

 

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创建时间:2024-09-28